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反射式光中断器物件检测应用及改善环境光干扰方式

一、简介
随著科技进步,各种电子产品的自动化程度也跟著提高,自动化程度越高的产品,代表也包含了更多的感测元件。为了避免人眼被环境中各种产品或设备感测时发射的光干扰,所以使用人眼无法察觉的红外线(Infrared; IR)产品做为感测器。这份应用手册将会介绍如何利用红外线发射元件(Infrared Emitter)及红外线接收元件(Infrared Receiver)作物体侦测应用。

最常见的红外线发射及接收元件就是红外线发光二极体(IR Light-emitting diode; IR LED)及光电晶体(Photo Transistor; PT),图一为基本的 IR LED 搭配 PT 的应用电路。

红外发射管及红外接收管 基本应用电路
图一、IR LED 及 PT 基本应用电路

原理说明:

1、IR LED 为发射端,顺向电流(Forward current; IF)越大发射的辐射强度越大。

2、PT 为接收端,收到的辐照度越大,产生的光电流 IC(on)越大。

3、调整 Rlimit 值可控制 IF 的大小。

4、调整 RL 值可控制 Vout 的大小。

5、Vout 可接 MCU 的 ADC(Analog-to-Digital Converter)或 GPIO 做准位判断。

判断说明:

1、无辐照度时,PT 截止,Vout 输出为高电位(Vcc)

2、辐照度低时,PT 导通,Vout 输出为高电位(Vcc – (Ic x RL))

3、辐照度高时,PT 饱和,Vout 输出为低电位(VCE(sat))
注:VCE(sat)为 PT 饱和电压。
二、利用反射式 ITR 做物体侦测方法

IR LED 通常和 PT 一起搭配作为物体侦测或是遮断侦测应用。图二为利用 IR LED 发射 IR 经由物体反射到 PT 做反射式物体侦测的示意图;为了避免 IR LED 发射的 IR 不经过物体反射,直接在机构内照射到 PT 造成误判,所以 IR LED 跟 PT 必须有效隔离。利用底下的两项特性,即可做到反射的

距离侦测。

1、反射物距离越近,PT 收到的反射辐照度越强,输出的电流会越高。

2、不同的材料会有不同的反射率,一般颜色越深、表面越粗糙的物体反射率越低,同距离情况下,

接收端输出的电流相对会降低。

反射物的距离及材质对物体侦测的影响
图二、反射物的距离及材质对物体侦测的影响

自带隔离机构的 IR LED+PT 组合元件 ITR
图三、自带隔离机构的 IR LED+PT 组合元件 ITR

 

若使用直流(Direct current; DC)的侦测方式,在 ITR 被环境光照射时容易造成误判。原因是 PT端无法分辨接收到的辐照度是来自于环境光,还是 IR 经物体反射。改善方式如图四,把 IR 的发射方式从 DC 改为脉衝(Pulse),然后 PT 需分别侦测每次 IR Off 及 IR On 时的电压值 Vout(Off)及Vout(On),此时 Vout(Off)就代表环境光造成的偏移值(Offset),Vout(On)代表的则是环境光加上 IR发射时的电压值,故 Vout(On)和 Vout(Off)之间的电压差就是单纯 IR 发射时造成的电压值。此方式除了可以降低环境光的干扰,也因为 IR 的发射是利用 Pulse 短时间点亮,故可以利用更强的电流驱动来侦测更远的距离。

改善环境光干扰的方式
图四、改善环境光干扰的方式

 

图五为 PT 实际输出波形的例子,可发现在 IR 从 On 切换到 Off 时,PT 会有一段延迟时间,故在取样 Vout(Off)时,需确认 PT 输出电压已经稳定,避免后续计算物体侦测变异量时造成误判。

PT 的输出电压波形侦测
图五、PT 的输出电压波形侦测

 

三、实例参考

 图六为一应用电路图范例,利用 MCU 的 GPIO 控制 MOSFET 的开、关来控制 IR 发射脉衝,并把 Vout 接到 MCU 的 ADC 接脚;利用调整 R limit、RL 的电阻值来确认物体侦测的距离,最后利用

ADC 读取的 Vout(Off)及 Vout(On)差异值来设定物体侦测的阀值。

 参考图四的方式控制 GPIO 及参考图五的波形作 ADC 取样时间设定,底下以使用亿光ITR20001/T24 (Bin K)为例,IR on 时间长度为 350us,在 300us 时取样 Vout(On),IR Off 时间长度为 50ms,在 6ms 时取样 Vout(Off)。Vcc = 5V,R limit= 82 ohm(IF ≒ 50mA),RL= 150k ohm。建议阀值可设定在 ADC 最大值的 1/3 左右,此 1/3 值是为了保留给光干扰的 Offset 使用,此值设定越大抗光干扰能力越强,但物体侦测范围会相对降低。图七为採上述方式设定,并把 Vout 接到 ADC后,对不同侦测物的比较(Y 轴为 Vout(Off)与 Vout(On)差异的 ADC 读值)。由图中可看出反射物颜色越浅反射量越高,可侦测的距离范围越大,一般会折中以灰卡做设计参考,以此图为例,灰卡的可判断的范围约为 0.1~6cm,黑卡为 0.1~3.5cm,白卡为 0.1~9.5cm。

 图八为反射物灰卡配合 150k ohm 的 RL 做改变 IF 的测试,可发现当 IF 增加到 100mA 时,可判断的范围会增加为 0.1~9cm。

 图九为反射物灰卡配合 50mA 的 IF 做改变 RL 的测试,可发现当 RL 降低到 68k ohm 时,可判断的范围会降低到 0.1~4.5cm。

注:1. 若侦测物体跟 ITR 完全密合,因无反射路径会使反射值为零。

 2. 以上测试结果都是以 ITR 上方不加盖板(单体裸测)。

应用电路图
图六、应用电路图

不同颜色待测物对 ADC 读值影响
图七、不同颜色待测物对 ADC 读值影响

不同 IF 对侦测距离的影响
图八、不同 IF 对侦测距离的影响

不同 RL 对侦测距离的影响
图九、不同 RL 对侦测距离的影响

 

四、结论

 调整 IF 或 RL 可以调整物体侦测距离,若想增加侦测距离且无功耗考量,建议以增加 IF 优先,因加大 RL 同时也会增加光干扰的强度;若是要降低侦测距离则以降低 RL 电阻值优先,同时降低环境光干扰。

五、推荐型号

反射式光中断器
ITR1502SR40A

本资讯仅提供客户设计参考,实际使用请客户自行验证,若有其他问题请与亿光电子联络取得进一步技术支援。
 

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